dv/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
dv/dt是单位时间内的电压变化量，vDS的上升坡度越陡，越容易发生MOSFET的dv/dt失效问题。
一般来说，反向恢复特性越差，dv/dt的坡度越陡，越容易产生MOSFET的dv/dt失效。
什么是dv/dt失效
如下图（2）所示，dv/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差vBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。
通常，dv/dt越大（越陡），vBE的电位差就越大，寄生双极晶体管越容易导通，从而越容易发生失效问题。
MOSFET的dv/dt失效电流路径示意图（蓝色部分）
此外，在逆变器电路或Totem-Pole PFC等上下桥结构的电路中，反向恢复电流Irr会流过MOSFET。受该反向恢复电流影响的dv/dt，可能会使寄生双极晶体管误导通，这一点需要注意。
dv/dt失效与反向恢复特性之间的关系可以通过双脉冲测试来确认。
双脉冲测试的电路简图如下：
双脉冲测试的电路简图
dv/dt和反向恢复电流的仿真结果如下图所示。设MOSFET①～③的栅极电阻RG和电源电压vDD等电路条件相同，仅反向恢复特性不同。
图中列出了Q1从续流工作转换到反向恢复工作时的漏源电压vDS和漏极电流（内部二极管电流）ID。
双脉冲测试的仿真结果
一般情况下，与MOSFET①相比，MOSFET③可以说是“反向恢复特性较差（Irr和trr大）”的产品。从这个仿真结果可以看出，反向恢复特性越差，dv/dt的坡度就越陡峭。
这一点通过流经电容器的瞬态电流通常用I=C×dv/dt来表示也可以理解。此外，在上述仿真中，Irr的斜率（di/dt）均设置为相同条件，但当di/dt陡峭时，dv/dt也会变陡峭。
综上所述，可以说，在桥式电路中使用MOSFET时，反向恢复特性越差的MOSFET，发生MOSFET的dv/dt失效风险越大。
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