以NMOS为例，测试NMOS作为开关的电路设计。试验用的NOMS为RU75N08，其输出特性曲线为：
从输出特性曲线可以看出，只要Vgs大于截止电压4.5V，DS就可以导通了。测试时直接使Vgs=+12V，Vds=+48V，负载电流最大可达到50A。
为了方便单片机控制Vgs，可加一个三极管进行电压控制，加一个光耦进行电气隔离，通过单片机IO口电平高低来控制NOMS的通断。
测试电路如下：
IN接单片机IO口，IN为高电平时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，光耦的NPN导通，PNP三极管Vb拉低，PNP导通，Vgs > 4.5V，NMOS导通，负载工作；
IN为低电压时，光耦不工作，PNP三极管Ve=Vb，PNP截止，Vgs = 0V，NMOS截止，负载不工作。
可以通过控制IN实现NMOS开关作用。
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