各自的作用：
主要保护GS极，限制Vgs间的最大电压。 (其一)保护DS极，其二)起到回流二极管作用，其三)为过电流或电感提供反向通路，其四)防止d、s极反向连接，其五)隔离。
各自的应用：防止反接
1)正接时，体二极管开始导通，“3”位置电压为0.6V左右，“1”位置电压为Vcc、Vgs阈值电压、Q1导通，体二极管短路。 在反向连接的情况下，Q1为反向偏置，Vgs=0，电路不通。
2)正接时，体二极管导通，“2”位置电压19.4V，“4”位置电压0、Q2导通，然后体二极管短路。 逆接时电路不通。
注意：增强型NMOS在施加栅极电压时会形成电场，电流方向为d、s，是任意的。 这里与普通的电子开关连接方法不同，体二极管在电子开关中主要起到关断的作用。 d、s在这两种应用中连接方法正好相反。
隔离作用：
控制信号来自电源适配器，插入适配器后Q2截止，负载由适配器提供； 断开适配器后，栅极电压变为0，Q2导通。 此时，由电池供电。
另外，在高速开关的情况下，由于体二极管的速度过慢，损耗大，所以通常在管外并联连接高速恢复或肖特基二极管。
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