VMOS管电路也分为共源极、共栅极和共漏极三种组态。
1.共源极组态
VMOS管共源极组态的基本形式和等效电路，如图1-20所示。
在低频，可以认为输入端不产生电流，所以放大器，电流增益极高，近于无穷大。而电压增益等于跨导gw乘以漏极负载电阻与漏极动态电阻之积，即：
式中Au一电压增益，
Rd—漏极负载电阻，
rd —漏极动态电阻。
共源极组态用于希望有电压增益又希望有电流增益的地方。其输人阻抗和动态输出阻抗都比较高。
2.共栅极组态
这种组态的基本形式与小信号等效电路，如图1-21所示。当要求源漏极间有良好的隔离时，使用这种电路。但应注意，在源极输入端与漏极输出端通过一小的极间电容Cd6来耦合，该电容一般小于50pF。
共栅极放大器不能提供电流增益。输入阻抗等于输入电压除以源极输入电流。由于漏极输出电流在幅度上与源极输入电流相同，即：
式中It—输入电流，
Ut—输人电压。
所以，输入电阻为：
共栅极组态的电压增益，与式（1-18）给出的共源极放大器的电压增益相同。共栅极电路益于幵关应用。
当用VMOS管转换模拟信号或电源时，将栅极置于与源极相同的电位就可以把漏极隔离（开路）。而当栅极对源极有很大的正向偏置时，漏源电阻降到几欧以下。开关闭合。
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