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  • MOS管的压降问题实例解析
    • 发布时间:2022-09-14 19:14:37
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    MOS管的压降问题实例解析
    测试开关mos后电压下降了1V多,锂电池4.2V的电压算是很低的一个电压,并且是拿这个mos导通之后的电压作为电压比较器的输入电压,当然参考电压是升压再稳压之后,可以不考虑它的变化,按理来说,mos都是m欧级的内阻,压降应该不大才对,为什么会有这么大压降呢?
    电路如下图所示:
    MOS管 压降
    查看手册可知在Vgs=2.5V时,导通时,最大电流Id=2.8A,mos的阻值为110m欧。如下图所示:2,8A*0.11=0.3V左右的压降。
    实际的应用时,D极是直接拉到了地,所以0V,接近4.5V,压降为2.8*0.090=0.25V,此时的Id也达到了最大值2.8A.
    MOS管 压降
    1点几伏的压降,显然是不对的。看后面有个振荡电路,应该是消耗了大量的电流,才造成电压下降的这么厉害。
    总结一下:
    在栅极施加不同的电压,源-漏极之间就会有电阻的变化。同时,如果要使MOS管作在开关状态,就要对栅极施加足够的电压,它才能充分起到开关作用。
    扩展:mos的其他特性:
    场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。
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