场效应管低压应用:
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的场效应管就存在一定的风险。
同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。
场效应管宽电压应用:
输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给场效应管的驱动电压是不稳定的。
为了让场效应管在高gate电压下安全，很多场效应管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，场效应管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
场效应管双电压应用:
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的场效应管，同时高压侧的场效应管也同样会面对1和2中提到的问题。
在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的场效应管驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。
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