MOS管构造
MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN 型）增强型MOS管。它的栅极和其它电极间是绝缘的。
MOS管构造:同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管。
图1-1所示（a ）、（b）分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。
MOS管的特性
在MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。
此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。
这就可以得出如下结论：
1） MOS 管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。
2） MOS 管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。
MOS 管的电压极性和符号规则：
图1-4-（a）是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是 P沟道的MOS管。
实际在MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中，表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。
图1-4-（c）是P沟道MOS管的符号。MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作,如图1-4-（b）所示。
同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作,如图1-4-（d）所示。
MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被区分成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
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