MOS管基本驱动电路
如下所示为MOS管最为基本的驱动电路设计，R1为限流电阻，来限制栅极在刚开始时的充电电流大小，电阻的加入会使得MOS开启速度减慢，但是可以减小EMC风险。
R2电阻是放电电阻，一是当系统未加电控制时，该电阻可以泄放积累在栅极的电荷，防止静电击穿；二是当G极驱动为低电平时，泄放G极电荷，使得G极快速的变为0电位。
这种驱动方式在实际中很常见，多见于直接使用控制器来驱动的方式，也是最为实用的驱动方式。
驱动逻辑就是高电平驱动开启MOS管；低电平驱动关闭MOS管。
推挽电路驱动，推挽电路驱动主要是在需要外部电源时我们使用的，需要使用两个三极管，请注意必须要NPN和PNP才可以。
高电平时，上管NPN开启，下管PNP关闭；此时MOS管状态为驱动开启；
低电平时，上管NPN关闭，下管PNP开启，此时MOS管状态为驱动关闭。
但是实际需要考虑晶体管完全开启时的Vce电压。
MOS管基本使用电路
上图是四种MOS管的使用电路，按使用环境的不同，一般有四种接法。
如图1，这是N管的最常用的一种电路，N管S端接地，D端接负载。则当G端信号电压大于GND+Vgs的时候，mos开启，当信号电压小于GND+Vgs时关闭。R1电阻使无外加信号时mos处于关闭状态。
如图2，这是P管通常使用的接法。P管S端接Vcc，D端接负载。则当G端信号电压小于VCC-Vgs的时候，mos开启，当信号电压大于VCC-Vgs时关闭。
以上两图中N管和P管的接法是通常电路中最常用的接法，也是mos管的普遍使用方法，如无特殊情况，MOS管在电路中就是按这两种接法使用。下面图3和图4的使用接法则在一些特殊场合中会使用的，而且驱动方式也较为特殊。
如图3，此种N管的接法通常在开关电源中会出现。
其特殊之处在于当MOS闭合的情况下，Vs=GND,所以信号电压只要大于Vs+Vgs，MOS就能打开，但是当MOS打开以后，则 Vs=Vcc，那么信号电压就必须大于Vcc+Vgs才能让MOS保持继续打开。
所以一般电路中很少使用，在开关电源电路中，则使用一个自举电路来抬高信号端的电压。
如图4，此电路很少用到，因为当mos导通以后，Vs=GND,则信号电压要小于GND-Vgs才能使得mos保持导通，所以信号电压要给一个负电压，电路更为麻烦，所以更少使用。
注：Vgs是mos管的最低开启电压，每个MOS管的规格书上有标明。
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