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  • IGBT尖峰电压吸收电路图文解析
    • 发布时间:2022-06-20 16:50:07
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    IGBT尖峰电压吸收电路图文解析
    IGBT尖峰电压吸收电路
    关断IGBT时由于电感中储存有能量,集电极-发射极间会发生浪涌电压。缓冲电路可以抑制施加在IGBT上的过电压和关断损耗的增加。这是由于缓冲电容器可以分担关断时的一部分能量。务必妥当处理电容器所吸收的能量。
    RCD 缓冲电路:
    IGBT 尖峰 吸收电路
    关断开关时储存的能量 : 1/2?LiC2
    e+= L?diC/dt
    IGBT 尖峰 吸收电路
    如果Cs能够完全吸收L的能量
    1/2?LiC2=1/2?Cs?Δe2
    即成立,因此
    Δe= i0×√L/Cs
    IGBT 尖峰 吸收电路
    RCD缓冲电路的损耗:
    IGBT 尖峰 吸收电路
    把缓冲电路安装在每个IGBT上比安装在直流母线和地线之间更有效。
    但是,存在Rs上损耗较大的问题。Rs上的损耗是LiC2与开关频率的乘积,L为0.2μH、iC为100A、开关频率为10kHz时损耗为20W。
    此时,在3相桥路电路中,仅缓冲电路的损耗就有120W。可以通过控降低频率或向电源再生能量来减少损耗。
    为了降低Δe,首先减小L(主电路的分布电感)尤为重要。Cs随电感变小而变小。
    Vs是(配线电感)×-dic/dt、Ds的正向恢复电压以及(Cs的分布电感)×-dic/dt的总和。
    下述要点可以使缓冲电路更有效。
    以更低的-dic/dt为驱动条件驱动IGBT。(降低IGBT的关断速度)
    减小主电路配线的电感。为此设法将电源(电解)电容器放在尽可能靠近IGBT模块的位置,使用铜板配线,实施分层布置等。
    缓冲电路也应放在模块的附近,Cs应采用薄膜电容器等频率特性好的元件。
    Ds使用正向导通压降小,反向软恢复型超快速二极管。
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