超结结构的功率MOSFET在VDS电压上升、横向电场建立产生耗尽层（空间电荷区）过程中，N型漂移层两侧的空间电荷区边界会向中心移动，如图2所示，随着VDS电压的升高，两侧空间电荷区边界会接触碰到一起，然后向再下继续移动。
在这个过程中，直接影响输出电容Coss和反向传输电容Crss的主要参数有：漏极和源极、栅极和漏极相对的面积、形状、厚度，以及相应的空间电荷区相对的距离。
（a） VDS电压非常低
（b） VDS增加到电容突变电压
（c） VDS处于电容突变电压区
（d） VDS达到最大值
图2 空间电荷区建立过程
VDS电压低时，P柱结构周边的空间电荷区厚度相对较小，而且空间电荷区沿着P柱的截面发生转折，相对的有效面积很大，如图2（a）所示，因此输出电容Coss和反向传输电容Crss的电容值非常大；
VDS电压提高，空间电荷区沿着P柱的截面发生下移，当VDS电压提高到某一个区间，两侧的空间电荷区相互接触时，同时整体下移，电容的有效面积急剧降低， 同时空间电荷区厚度也急剧增加，因此Coss和Crss电容在这个VDS电压区间也随之发生相应的突变，产生非常强烈的非线性特性，如图2（b） 和（c）所示；
VDS电压提高到更高的值，整个N区全部耗尽变为空间电荷区空间，此时电容的有效面积降低到非常、非常小的最低时，如图2（d）所示，输出电容Coss也降低到非常、非常小的最低值。
在低电压时，相对于柱结构和单元尺寸，空间电荷区厚度相对较小，P柱结构周边，空间电荷区发生转折，导致输出电容的有效面积变大。
这2种因素导致在低压时，Coss的值较大。VDS电压升高时，如VDS=20 V，VDS=100 V，从图3空间电荷区电场分布仿真图可以看到，
空间电荷区的形状开始变化，首先沿着补偿的结构经过波浪形的，然后进入更低有效面积的水平电容，因此高压的输出电容降低到2个数量级以下。
Crss和Coss相似，电容曲线的突变正好发生在上面二种状态过渡的转变的过程。
（a） 20 V空间电荷区电场分布
（b） 100 V空间电荷区电场分布
图3 空间电荷区电场分布
图4展示了平面和超结结构高压功率MOSFET的电容曲线，从图中的曲线可以的看到，当偏置电压VDS从0变化到高压时，输入电容Ciss没有很大的变化， Coss 和 Crss 在低压的时候非常大，在高压时变得非常小。在20~40 V的区间，产生急剧、非常大的变化。
图4 平面和超结结构高压功率MOSFET的电容
工艺对超结结构的高压功率MOSFET寄生电容影响
新一代超结技术进一步降低内部每个晶胞单元尺寸，对于同样的导通电阻，降低内部晶胞单元尺寸可以降低硅片的尺寸，从而进一步硅片的尺寸以及相关的寄生电容，器件就可以工作在更高频率，采用更小的封装尺寸，降低系统的成本。
内部的晶胞单元尺寸采用更小的尺寸，在更小的硅片面积实现以前的技术相同的或者更低的导通电阻，就必须要求漂移层N区电流路径的掺杂浓度更高，内部会产生更高的横向电场也就是更强烈的电荷平衡特性，保证内部空间电荷区获得所要求的击穿电压；
同时，内部结构中每个柱状结构的高度对宽度的比值增加，上述的这些因素导致新一代技术的超结结构的高压功率MOSFET的Coss和Crss的电容曲线的突变电压区将降低到更低的电压，寄生电容的非线性特性更为剧烈。
不同的工艺，转折点的电压不一样，转折点的电压越低，电容的非线性特性越强烈，对功率MOSFET的开关特性以及对系统的EMI影响也越强烈。
采用以前技术的超结结构的输出电容Coss非线性特性的VDS电压区间为40-60V，新一代的超结结构的输出电容Coss非线性特性的VDS电压区间为20~30 V。
电容Crss和电容Coss的下降发生在更低的电压区间，这种效应在开关过程形成更快的开关速度，可以明显的降低开关损耗。Crss小，减小开关过程中电流和电压的交越时间。
另外，因为功率MOSFET在关断过程中，储存在输出电容Coss能量将会在每一个开关周期开通的过程中消耗在沟道中，新一代超结结构的功率MOSFET在高压时输出电容Coss降低得更低，Coss下降突变发生在更低的电压区，储存在输出电容Coss的能量Eoss等于输出电容对VDS电压在工作电压范围内的积分计算得到；因此，Eoss能量降低到更低的值，进一步的降低硬开关工作过程中的开关损耗，特别是在轻载的时候，Eoss产生的开关损耗的作用更加明显，可以极大提高系统轻载的效率。
然而，Coss和Crss这种效应在开关过程中，VDS电压经过这个电压区间，将会产生非常大的du/dt和di/dt，容易在驱动的栅极和漏极产生电压振荡，形成过高的VGS、VDS过电压尖峰，同时对系统EMI产生影响。
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