MOS管衬底电位接法
P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）；
P-SUB工艺，PMOS管的N衬底都是单独的，因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应；
N-WLL工艺，PMOS的衬底都是一样的，都是N-WELL，因此不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他PMOS的特性，因此PMOS的衬底只能接VDD（高电位）；
N-WELL工艺，NMOS管的P衬底都是单独的，因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应；
Deep Nwell，是在PSUB工艺情况下，对NMOS管可以采取的一种隔离方式，底部是deep nwell，周围是nwell形成的一个环，来隔离共衬底引起的噪声干扰。
PMOS、NMOS衬底连接
在schematic原理图中搭建电路时，所有pmos的衬底需要接VDD，所有nmos的衬底需要接VSS。
在layout版图中，VDD供电时，选择的通孔类型的M1_NW，因为PMOS器件做在N阱中。
相对应，VSS供电选择的通孔类型为M1_SUB。
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