NMOS型和PMOS型的稳压电路如下图所示：
两种电路的设计参数基本一致，区别仅在于：
PMOS、NMOS管的不同；
LT1014采样管脚的正负不同，这是因为两种管子所需要的的驱动电压相反的缘故；
两种电路相比较，主要有以下区别：
NMOS管的Rds.on要小于PMOS管的Rds.on；
NMOS型稳压电路所需的输入输出压差小于PMOS型的输入输出压差；
下面仿真对比一下两种电路的最小压差：
在5V、5.1V、5.2V这三个输入电压下，NMOS的输出电压情况好于PMOS，这主要是跟MOS管的Rds.on有关系，选型的时候尽量取Rds.on小的管子；
通常PMOS、NMOS管选型时，NMOS管的Rds.on做的比PMOS管要小，需要根据实际应用实际产品选型满足设计要求、温升、成本的管子，也是折中的一个过程。
串联稳压电路除了用运放的方式来实现，也可以用TL431来实现，或者78、79系列的稳压管，或者稳压芯片，选择非常多。
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