S4肖特基二极管参数,S4二极管正负极,S4中文资料代替
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S4肖特基二极管,SOD-123封装参数如下:Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 非重复峰值反向电压:40V
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM 峰值重复反向电压:40V
Working Peak Reverse Voltage VRWM 工作峰值反向电压:40V
DC Blocking Voltage VR 直流阻断电压:40V
RMS Reverse Voltage VR(RMS) 均方根反向电压:28V
Forward Continuous Current IFM 正向连续电流:350mA
Power Dissipation PD 功耗:400mW
RMS Reverse Voltage VR(RMS) 均方根反向电压:28V
Forward Continuous Current IFM 正向连续电流:350mA
Power Dissipation PD 功耗:400mW
Maximum Forward Voltage VFM IF=350mA时,最大正向电压:0.37V
Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG 工作温度和存储温度范围:-65to +150℃
S4肖特基二极管,SOD-123封装尺寸:
S4肖特基二极管,SOD-323封装尺寸:
S4肖特基二极管,SOD-523封装尺寸:
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S4肖特基二极管,SOD-523封装尺寸:
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