MCR100-8可控硅参数,MCR100-8参数规格书,MCR100-8引脚图
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MCR100-8 SOT-89参数封装：点击查看
MCR100-8封装有：SOT-23/SOT-89/TO-92
MCR100-8可控硅参数如下：
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage 峰值重复正向和反向阻断电压 VDRM and VRRM：600V
Forward Current RMS 通态电流 IT(RMS)：0.8A
Peak Forward Surge Current, TA = 25℃ 峰值正向浪涌电流 ITSM：10A
Forward "On" Voltage 通态电压 VTM：1.7V
Gate Trigger Current 门极触发电流 IGT：200uA
Gate Trigger Voltage 门极触发电压 VGT：0.8V
Operating Junction Temperature Range 工作结温度范围 TJ：-40 to +125℃
Storage Temperature Range 储存温度 Tstg：-40 to +150℃
MCR100-8可控硅/SOT-23封装尺寸：
MCR100-8可控硅/SOT-89封装尺寸：
MCR100-8可控硅/TO-92封装尺寸：
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