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80N10/TO-220F参数封装：点击查看
80N10封装有TO-220/TO-220F/TO-252
80N10场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：107V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：80A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：62A
Power Dissipation 功率损耗Pd：100W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=30A,VGS=10V：Typ 7.2mΩ Max 9.0mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
80N10场效应管/TO-220封装尺寸：
80N10场效应管/TO-220F封装尺寸：
80N10场效应管/TO-252封装尺寸：
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