160N10场效应管,160A 100V,160N10参数资料,160N10引脚图,160N10中文资料规格书PDF
160N10/TO-220参数封装：点击查看
160N10封装有TO-220/TO-220F/TO-252
160N10场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：160A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：105A
Power Dissipation 功率损耗Pd：225W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=80A,VGS=10V：Typ 3.7mΩ Max 4.2mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
160N10场效应管/TO-220封装尺寸：
160N10场效应管/TO-220F封装尺寸：
160N10场效应管/TO-252封装尺寸：
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