200N04场效应管,200A 40V,200N04参数资料,200N04引脚图,200N04中文资料规格书PDF
200N04/TO-220参数封装：点击查看
200N04封装有TO-220/TO-220F/TO-252
200N04场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：200A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：116A
Power Dissipation 功率损耗Pd：1.96W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=70A,VGS=10V：Typ 2.6mΩ Max 3.4mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
200N04场效应管/TO-220封装尺寸：
200N04场效应管/TO-220F封装尺寸：
200N04场效应管/TO-252封装尺寸：
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