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    • 发布时间:2021-10-09 16:02:11
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    IRLML6401
    IRLML6401/SOT-23封装参数:点击查看
    IRLML6401场效应管参数具体如下:
    IRLML6401IRLML6401
    极性:PNP
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:-12V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±8V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:-4.3A
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃:-3.4A
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:1.3W 
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-4.3A,VGS=-4.5V:Max 50mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-2.5A,VGS=-2.5V:Max 85mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    IRLML6401场效应管/SOT-23封装尺寸:
    IRLML6401
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