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IRLML6401/SOT-23封装参数：点击查看
IRLML6401场效应管参数具体如下：
极性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-12V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±8V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-4.3A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：-3.4A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：1.3W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-4.3A,VGS=-4.5V：Max 50mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-2.5A,VGS=-2.5V：Max 85mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
IRLML6401场效应管/SOT-23封装尺寸：
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