IRLML6402场效应管,IRLML6402参数资料,IRLML6402引脚图,IRLML6402中文资料规格书PDF
IRLML6402/SOT-23封装参数：点击查看
IRLML6402场效应管参数具体如下：
极性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-20V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±12V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-3.7A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：-2.2A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：1.3W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-3.7A,VGS=-4.5V：Typ 0.05Ω Max 0.065Ω
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-3.1A,VGS=-2.5V：Typ 0.08Ω Max 0.135Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
IRLML6402场效应管/SOT-23封装尺寸：
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