10N80场效应管,10A 800V,10N80参数资料,10N80引脚图,10N80中文资料规格书PDF
10N80/TO-220F参数封装：点击查看
10N80封装有TO-220/TO-220F/TO-252
10N80场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：800V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：10A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：6.32A
Power Dissipation 功率损耗Pd：62W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=10V：tYP 0.92Ω Max 1.15Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
10N80场效应管/TO-220封装尺寸：
10N80场效应管/TO-220F封装尺寸：
10N80场效应管/TO-252封装尺寸：
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