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    • 发布时间:2021-09-15 18:28:42
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    3N10
    3N10/SOT-23封装参数:点击查看
    3N10场效应管参数具体如下:
    3N10
    极性:NPN
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:100V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:2.8A
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:1.76W 
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=1A,VGS=10V:Max 310mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=1A,VGS=4.5V:Max 320mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    3N10场效应管/SOT-23封装尺寸:
    3N10
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