2N65场效应管,2A 650V,2N65参数资料,2N65引脚图,2N65中文资料规格书PDF
2N65/TO-220F参数封装：点击查看
2N65封装有TO-220/TO-220F/TO-252
2N65场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：650V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：2A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：1.3A
Power Dissipation 功率损耗Pd：23W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=1A,VGS=10V：Typ 4.2Ω Max 4.9Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
2N65场效应管/TO-220封装尺寸：
2N65场效应管/TO-220F封装尺寸：
2N65场效应管/TO-252封装尺寸：
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