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  • MMBT5550三极管,MMBT5550晶体管参数资料
    • 发布时间:2021-09-13 15:14:54
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    MMBT5550三极管,MMBT5550晶体管参数中文资料
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    MMBT5550
    MMBT5550三极管SOT-23封装规格书:点击查看
    MMBT5550三极管参数具体如下:
    MMBT5550
    极性:NPN
    Power dissipation PCN(mw)功率:225mW
    Collector current lc(mA)电流:0.6A
    Collector-base voltage VCBO(V)集电极-基极电压:160V
    Collector-emitter breakdown voltage VCEO(V)集电极-发射极电压:140V
    Emitter base breakdown voltage VEBO(V)发射极-基极电压:6V
    DC current gain hFE(min)最小放大倍数:60
    DC current gain hFE(max)最大放大倍数:250
    Junction Temperature Tj 结温:150℃
    Storage Temperature Tstg 储存温度:-55 to 150℃
    MMBT5550三极管,SOT-23封装尺寸:
    MMBT5550
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