8N65场效应管,8A 650V,8N65参数资料,8N65引脚图,8N65中文资料规格书PDF
8N65/TO-220F参数封装：点击查看
8N65封装有TO-220/TO-220F/TO-252
8N65场效应管参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：650V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：8A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：4.7A
Power Dissipation 功率损耗Pd：50W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=4A,VGS=10V：Typ 1.25Ω Max 1.35Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
8N65场效应管/TO-220封装尺寸：
8N65场效应管/TO-220F封装尺寸：
8N65场效应管/TO-252封装尺寸：
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