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SI2301/SOT-23封装参数：点击查看
SI2301场效应管参数具体如下：
极性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-20V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±8V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-3A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：1.25W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：0.8W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=3A,VGS=4.5V： Max 110mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=2A,VGS=2.5V：Max 150mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
SI2301场效应管/SOT-23封装尺寸：
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