7N65场效应管,7A 650V,7N65参数资料,7N65引脚图,7N65中文资料规格书PDF
7N65/TO-220F参数封装:点击查看
7N65封装有TO-220/TO-220F/TO-252
7N65场效应管参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：650V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：7A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：4.7A
Power Dissipation 功率损耗Pd：50W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=3.5A,VGS=10V：Typ 1.05Ω Max 1.3Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
7N65场效应管/TO-220封装尺寸：
7N65场效应管/TO-220F封装尺寸：
7N65场效应管/TO-252封装尺寸：
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280
烜芯微专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系上方的联系号码或加QQ，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍