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  • GBJ810整流桥,GBJ810整流桥参数规格书
    • 发布时间:2021-08-21 15:13:17
    • 来源:
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    GBJ810整流桥,GBJ810整流桥参数规格书PDF
    GBJ810整流桥8A 1000V,GBJ810封装为4GBJ/4KJ,GBJ810整流桥参数规格书
    GBJ810
    GBJ810整流桥参数规格书:点击下载
    GBJ810整流桥参数具体如下:
    GBJ810
    Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM最大重复峰值反向电压:1000V
    Maximum DC blocking voltage VDC最大直流阻断电压:1000V
    Maximum average forward rectified current IF(AV) 最大平均正向整流电流:8.0A
    Maximum instantaneous forward voltage drop per diode IFM=4.0A  VF 4.0A时最大瞬时正向,每个二极管的压降:1.0V
    Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM VRM=VRRM 最大直流反向电流,每个二极管的额定直流阻断电压:5uA
    Operating temperature range TJ 工作温度范围:-55 to +150°C
    storage temperature range TSTG 储存温度范围:-55 to +150°C
    GBJ810整流桥堆封装,4GBJ/4KBJ封装尺寸:
    GBJ810
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