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    • 发布时间:2021-08-13 14:44:58
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    MBR10200CT肖特基二极管TO-220封装规格书:点击下载
    MBR10200CT肖特基二极管TO-220F封装规格书:点击下载
    MBR10200CT肖特基二极管TO-220,TO-220F封装参数如下:
    MBR10200CT
    Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 最大重复峰值反向电压:200V
    Maximum DC blocking voltage VDC 最大直流闭锁电压:200V
    Maximum average forward rectified current I(AV) 最大正向平均整流电流:10.0A
    Maximum instantaneous forward voltage at 10.0A VF 10.0A时的最大瞬时正向电压:0.92V
    Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=25℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流:0.1mA
    Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=125℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流:20.0mA
    Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG 工作温度和存储温度范围:-65to +175℃
    MBR10200CT肖特基二极管封装,TO-220封装尺寸:
    MBR10200CT
    MBR10200CT肖特基二极管封装,TO-220F封装尺寸:
    MBR10200CT
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