MBR10200CT肖特基二极管10A 200V,MBR10200CT有TO220,TO220F两种封装,MBR10200CT二极管参数规格书
MBR10200CT肖特基二极管TO-220F封装规格书：点击下载
MBR10200CT肖特基二极管TO-220,TO-220F封装参数如下：
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 最大重复峰值反向电压：200V
Maximum DC blocking voltage VDC 最大直流闭锁电压：200V
Maximum average forward rectified current I(AV) 最大正向平均整流电流：10.0A
Maximum instantaneous forward voltage at 10.0A VF 10.0A时的最大瞬时正向电压：0.92V
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=25℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流：0.1mA
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=125℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流：20.0mA
Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG 工作温度和存储温度范围：-65to +175℃
MBR10200CT肖特基二极管封装，TO-220封装尺寸：
MBR10200CT肖特基二极管封装，TO-220F封装尺寸：
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280
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