ES1M贴片超快恢复二极管,1A,1000V,ES1M封装有SMA/SMAF多种封装,ES1G的封装不同,则尺寸不同,参数一致
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ES1M,SMA/SMAF封装参数如下：
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 最大重复峰值反向电压：1000V
Maximum DC blocking voltage VDC 最大直流闭锁电压：1000V
Maximum average forward rectified current I(AV) 最大正向平均整流电流：1A
Maximum instantaneous forward voltage at 1A VF 1A时的最大瞬时正向电压：1.7V
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=25℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流：5.0uA
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=125℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流：100uA
Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG 工作温度和存储温度范围：-55to +150℃
Maximum reverse recovery time 恢复时间：35ns
ES1M超快恢复二极管，DO-214AC/SMA封装尺寸：
ES1M超快恢复二极管，SMAF封装尺寸：
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