MOS管串联
I-V曲线本来应该一样，但是由于effL，PSE的存在，以及间接导致的DIBL，都会让这两个曲线有区别
长沟道器件，两者近似。短沟道器件差别大。
其实单纯从W/L上考虑应该是没有区别的。
使用两个(或多个）串联，提高L。
我认为好处如下：
正如二楼所说，避免使用倒比管（W/L远小于1时）；
通过拆分为多个管子串联时，在layout上容易布局、匹配；
串联时，如果SD电压降低，一个管子进入线性区，但可保证另外一个工作在饱和区。
单纯从w/l考虑，也应该考虑背栅效应的影响
低功耗中常用到
两个nmos管串联下面的mos管为什么下面的一直在线性区 ？
上面的NMOS如果要开启，那么它的G必然比S要高出VT0；
那么下面的NMOS的G必然比D要低于一个VT0(两个管子的G电位一样，上面的S就是下面的D)；
那么下面的管子不就在线性区域吗！
那么当有电流I流过这2个NMOS时，下面管子M1的Vgs1 〉上面管子M2的Vgs2 （因为Vds1〉0），要保证I1=I2，则必须是M1在线形区，M2饱和区。
并联相当于增加W，而串联是不是增加L?
串联是不是要一个管子的源极接另一个管子的漏极，而它们的栅极要连在一起，是应该
这样接吗？ 但如果我把两个串联后的管子再连成二极管负载的形式，其中一个管子总工作在线性区（因为vgs太大，而vds过小）,不能保证一个管子在恒流区，这样用可以吗，能相当于增加了L吗？
并联相当于增加W，而串联是不是增加L?
是，如果sub接source的话
这应该是电流镜电路吧，中间的管子应该比靠近电源和地的管子要宽得多吧？ 这样的话主意是使中间管子的栅源电压约等于阈值电压，左右两路靠近电源和地的管子的栅漏电压就被clip一个阈值电压的值处，使左右两路漏端电压较为精确匹配，同时也可以使输出摆幅最大化。
也可看成是由靠近电源的管子引入了一个源级负反馈，是电流匹配更好，PSRR也更好
想请问一下：假如两个10u/5u+10u/2.5u串接同单独的一个10u/7.5u管子做电流镜，有区别吗？我觉得表面上靠近电源和地的管子漏端电压被嵌住了，但也不排除某一个管子进入线性区，匹配同样不好！所以两个管子串联跟相应地增加一个管子的L效果没什么区别，个人看法请指正
靠近vdd的pmos管子如果Vg-Vd的绝对值为Vth的话，那就是处于临界饱和了，再下面的管子饱和否我觉得比较起来没那么重要。其实就算处于线性区同时match Vg和Vd的我也见过，扯远了。叠着的两个管子合起来的话l大些，管子的match好些，但你不能牵着Vd,哪个更match些好难说, 但如果管子上了一定的尺寸后我相信match Vd会更好些
很简单，共源共栅结构的作用就是隔离，
使得漏端电与输出隔离，减小沟长调制产生的失配
這是self cascode的current mirror
利用self cascode降低channel length modulation effect
如此接法mos將等效為(W/L)equal=1/[(L/W)1+(L/W)2]
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