三极管分为NPN型和PNP型,常用的为NPN型,以下都以NPN型为例。
三极管有三个电极,发射极、基极、集电极,分别位于发射区、基区、集电区。发射区为高掺杂浓度N硅,基极为很薄的P硅,集电区为掺杂浓度较低的N硅,这种结构为三极管能够起到放大作用的基础。
图中以共基极为例,输入电路为Vee,输出电路为Vcc,通常Vee接有模拟信号源作为输入,通过三极管放大后由Vcc输出。
想要使三极管起到放大效果,需要使发射结正偏,集电结反偏。即电子由高掺的发射区扩散到基区,形成电流Ien,部分电子在P型的基区与空穴复合形成复合电流Ibn,同时基区的空穴也向发射区扩散,由于发射区电子掺杂浓度高且较厚,扩散过来的空穴基本全部与电子复合形成复合电流Iep。而扩散到基区电子,在外加电场与载流子浓度差的作用下,很容易穿过基区并到达集电区,形成扩散电流Icn。同时,由于基区与集电区的PN结反偏,在内建电场的作用下发生少子的漂移,形成漂移电流Icbo。
各电流关系如图中所写。
放大系数
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