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  • 晶体管扩流电源电路设计介绍
    • 发布时间:2021-09-25 18:35:35
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    晶体管扩流电源电路设计介绍
    1.实验内容
    基于“外部旁路晶体管扩流”原理,以线性集成稳压芯片为核心,设计一能够输出大电流的直流稳压电路。假设该稳压电路输入电压为30V,输出电压为24V,负载电阻为10Ω。
    实验具体要求如下:
    (1)确定电路形式,说明晶体管扩流的原理。
    (2)查阅选择的集成稳压芯片和扩流晶体管数据手册,记录集成稳压芯片的最大输出电流,说明扩流晶体管的额定功率选择依据。
    查阅手册得LM117最大输出电流为1.5A
    (3)确定电路其它元件参数。
    (4)利用Altium Designer绘制原理图。
    2.实验结果
    (1)在下方列出所设计电路的原理图(Altium Designer完成,确定电路中所有器件的型号和参数)
    C1:防止自激,一般取0.1uF。
    C2:减小输出纹波,一般取10uF。
    C3:减小阻尼振荡和改善瞬态特性,可取1μF钽电容。
    D1、D2:为C3、C2提供放电通路,防止稳压器承受反向电压,保护稳压器。
    R2、R3:调节输出电压,通常R2取240Ω,R3为可调电阻,一般取5K
    晶体管扩流电源电路
    所设计电路的原理图
    (2)结合所设计的电路图说明该电路的工作原理及晶体管的扩流原理。(具体包括如何实现稳压、如何实现大电流输出)
    稳压原理:
    功率器件(调整管)与负载串行连接,功率器件工作在线性区,靠改变调整管上的压降来稳定输出。
    扩流原理:
    IN接直流输入电源,其输入电压的范围跟选用的芯片有关,OUT为线性稳压电源的输出端接负载。流过负载的电流为Io,Io由源LM117的输出电流I2和PNP的输出电流I1两部分。IR为流过电阻的电流,Ib为PNP的基极电流,Iin为源LM117的输出电流。分析时忽略源LM117的静态工作电流。假设晶体管的放大倍数为β,晶体管基极导通电压为Ueb。如图所示。
    晶体管扩流电源电路
    Io=I1+I2(1-1)
    Iin=IR+Ib(1-2)
    I1=βIb(1-3)
    I2=Iin=IR+Ib(1-4)
    IR=Ueb/R1(1-5)
    Io=I1+I2=βIb+Iin=βIb+IR+Ib=(1+β)Ib+Ueb/R1(1-6)
    由式(1-6)可知是,输出电流和晶体管的放大倍数以及电阻R1的值相关,由于晶体管输出电流与基极的电流成正比,晶体管的放大倍数为β,当晶体管处于线性放大区工作时,只要较小的Ib电流,就能获得较大的I2输出,当参数选取合适时,I2的电流将是Io输出电流的主要部分,从而实现了扩流。
    (3)给出所选稳压芯片的最大输出电流参数,根据题目要求,列出扩流晶体管额定功率的计算过程。
    因为已知:Uo=1.25×(1+R2/R1)+Iadj×R2
    Io=I1+I2=βIb+Iin=βIb+IR+Ib=(1+β)Ib+Ueb/R1
    所以Po=Io×Uo=[1.25×(1+R2/R1)+Iadj×R2]×[(1+β)Ib+Ueb/R1]即为所求。
    三、实验思考题
    1、线性稳压电路的优点有哪些?
    答:输出电压稳定、纹波小、电路简单。
    2、造成三端集成线性稳压芯片转换效率不高的原因是什么?
    答:由于调整管始终工作在线性状态,由此产生的损耗比较大,从而导致电源的效率不高,通常只有35%~60%。
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