半导体
半导体分为本征半导体和杂质半导体
1. 本征半导体：化学成分纯净的半导体，物理结构呈单晶体形态。
2. 杂质半导体：在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素，掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
空穴——共价键中的空位，
电子–空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。
空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。
自由电子和空穴都称为载流子
首先我们要来了解PN结
P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。
N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。
P型材料：
多数载流子为空穴，少子为自由电子；
N型材料：
多数载流子为自由电子，少子为空穴。
共价键中的两个电子称为价电子，其中某个价电子的离开或缺失就会在原来的位置上形成空穴。
所以。。。
P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；
P型半导体中自由电子是少数载流子，由热激发形成。
空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。
三价杂质原子因而也称为受主杂质。
N型半导体中自由电子是多数载流子，由杂质原子提供；
N型半导体中空穴是少数载流子，由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原子因为带正电荷而成为正离子
五价杂质原子也称为施主杂质。
漂移运动：
在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
扩散运动：
由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。
PN结的形成
在一块本征半导体两侧掺入不同的杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。
此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
PN结的单向导电性
当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏
PN结外加正向电压时表现为低电阻，大的正向扩散电流
PN结外加反向电压时表现为高电阻，很小的反向漂移电流
这里再提一次
漂移运动：
在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
扩散运动：
由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。
另外。。
PN结对的伏安特性
这里我们讨论电压反向的情况。。
一定温度下，由本征激发决定的少子浓度一定，故少子形成的漂移电流恒定，基本与所加反向电压大小无关，称为反向饱和电流。
PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。
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