1.PN结的伏安特性
U（BR）反向击穿电压
2.PN结的电容效应
耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。
扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应成为扩散电容Cd。
它与流过PN结的正向电流i，温度的电压当量UT以及非平衡少子的寿命t有关。i越大、t越大、UT越小，Cd就越大。
结电容Cj = Cb+Cd，结电容通常为（1pF-几百pF），对低频信号大容抗，只有在信号频率高时才考虑结电容作用。
即高频情况下，二极管可以等效为一个理想二极管与一个电容的并联，这个并联的电容会对电路产生影响。
3.二极管的伏安特性
Uon开启电压、Is反向电流
二极管的主要参数
①最大整流电流IF 允许通过的最大正向平均电流
②最高反向工作电压UR 通常UR为击穿电压U（BR）的一半
③反向电流IR 未击穿时的反向电流。IR越小，二极管的单向导电性越好，对温度非常敏感。
④最高工作频率fM 工作的上限截止频率，超过此值时，由于结电容二极管将不能很好体现单向导电性。
4.稳压二极管
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