下面以NPN型为例，来讨论三极管的放大作用。
从三极管的内部结构来看，主要有两个特点。第一，发射区进行高掺杂，因而其中的多数载流子浓度很高。NPN三极管的发射区为N型，其中的多子是电子，所以电子的浓度很高。第二，基区做得很薄，通常只有几微米到几十微米，而且掺杂比较少，则基区中多子的浓度很低。NPN三极管的基区为P型，故其中的多子空穴的浓度很低。
从三极管的内部结构来看，主要有两个特点。第一，发射区进行高掺杂，因而其中的多数载流子浓度很高。NPN三极管的发射区为N型，其中的多子是电子，所以电子的浓度很高。第二，基区做得很薄，通常只有几微米到几十微米，而且掺杂比较少，则基区中多子的浓度很低。NPN三极管的基区为P型，故其中的多子空穴的浓度很低。
从外部条件来看，外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反缶偏置状态。
在满足上述内部和外部条件的情况下，三极管内部载流子的运动有以下三个过程：1．发射 2．复合与扩散 3．收集。
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