ESD含义即静电放电：处于不同电位的两个物体之间，由于直接接触或静电场感应导致的电荷传输（转移）。可见，静电与静电放电（ESD）是完全不同的物理概念或物理过程。一个是“静”，一个是“动”。 伴随着静电放电，往往有电量的转移、电流的产生和电磁场辐射。
1何为静电
静电是物体表面过剩或不足的静止电荷。
1.静电是一种电能，它留存物体表面。
静电是正电荷 和负电荷在局部范围内失去平衡的结果；
静电是通过电子或离子转移而形成的。
2.静电现象是电荷的产生和消失的过程中产生的电现象的总称。
2静电放电三要素
Q+M+D=ESD
Q：一定积累的静电荷。
M：放电途径，如金属接触、对地或低阻的泄放途径。
D：静电敏感器件。
3静电产生原理
电子围绕原子核运动,一有外力即脱离轨道,离开原来的原子而侵入其他的原子。
外力包含各种能量, 如动能,位能,热能,化学能,电磁能等。
A原子因缺少电子数而带有正电现象, 称为阳离子。
B原子因增加电子数而带有负电现象, 称为阴离子。
4静电在电子工业中的危害
1.静电吸附灰尘，降低元件绝缘电阻（缩短寿命）。
2.静电放电破坏，使元件受损不能正常工作：静电放电时当放电电流过大(瞬时大电流可达几十A), 产生过高热能, 将会击穿元件。
三种击穿现象：
热击穿：P-N破坏；
介电击穿: 氧化层的破坏；
金属汽化: 金属线被汽化而开路。
3.静电放电辐射的电磁场幅度很大（可达几百V/m）频谱极宽（从几十兆到几千兆），对电子产品造成干扰甚至损坏。
5ESD测试标准
目前IEC 61000-4-2看作是 ESD 测试的事实标准。我国的国家标准（GB/T 17626.2-1998）等同于IEC 61000-4-2。
常用消费类的测试采用接触4KV和空气8KV，某些高标准行业如车载类，会采用8KV和空气15KV。
6电路级ESD防护标准
1.并联放电器件
常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。
齐纳二极管（ Zener Diodes） ： 利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。
瞬变电压消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor)： TVS 是一种固态二极管，专门用于防止 ESD 瞬态电压破坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管相比， TVS 二极管 P/N 结面积更大，这一结构上的改进使 TVS 具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。
TVS二极管的瞬态功率和瞬态电流性能与结的面积成正比。该二极管的结具有较大的截面积，可以处理闪电和 ESD所引起的高瞬态电流。TVS也会有结电容，通常0.3个pF到几十个pF。TVS有单极性的和双极性的，使用时要注意。
压敏电阻：压敏电阻也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压 - 电流 ( 阻抗表现 ) 关系，截止电压可达最初中止电压的 2 ～ 3倍。这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的静电或浪涌保护，如电源回路，按键输入端等。压敏电阻价格比TVS低不少，但是防护效果没有TVS好，且压敏电阻有寿命老化。
2.串联阻抗
一般可以通过串联电阻或者磁珠来限制ESD放电电流，达到防静电的目的。如图。如手机的高输入阻抗的端口可以串1K欧电阻来防护，如ADC，输入的GPIO，按键等。
3.增加滤波网络
用滤波器滤掉主要的能量也能达到静电防护的目的。
对于低频信号，如GPIO输入，ADC，音频输入可以用1k+1000PF的电容来做静电防护，成本可以忽略，性能不比压敏电阻差，如果用1K+50PF的压敏电阻（下面讲的复合防护措施），效果更好，经验证明这样防护效果有时超过TVS。
对于射频天线的微波信号，如果用TVS管，压敏等容性器件来做静电防护，射频信号会被衰减，因此要求TVS的电容很低，这样增加ESD措施的成本。对于微波信号可以对地并联一个几十nH的电感来为静电提供一个放电通道，对微波信号几乎没有影响，对于900MHZ和1800MHz的手机经常用22nH的电感。这样能把静电主要能量频谱上的能量吸收掉很多。
4.多层板进行ESD防护
当资金允许的情况下，选择多层板也是一种有效防止ESD的一种手段。在多层板中，由于有了一个完整的地平面靠近走线，这样可以使ESD更加快捷的耦合到低阻抗平面上，进而保护关键信号的作用。
5.电路板外围留保护带
这种方法通常是在电路板周围画出不加组焊层的走线。在条件允许的情况下将该走线连接至外壳，同时要注意该走线不能构成一个封闭的环，以免形成环形天线而引入更大的麻烦。
总之ESD虽然可怕，甚至会带来严重后果，但是，只要保护好电路上电源和信号线，那么就能有效的防止ESD的电流流入PCB中。以上内容供大家参考，希望能给您带来帮助。
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