场效应管如何检测维修
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
场效应管工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。
而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
场效应管的维修检测
测量场效应管的好坏一般采用数字万用表的二极管（蜂鸣挡）。测量前须将三只引脚短接放电，避免测量中发生误差。用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚中的两只，好的场效应管测量结果应只有一次有读数，并且在 400～800 之间。
如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，或者测量结果中有两次读数，须用小镊子短接该组引脚重新进行测量。如果重测后阻值在 400～800 之间说明场效应管正常。如果其中有一组数据为0，则场效应管已经被击穿。
场效应管的检测步骤如下：
（1）首先观察待测场效应管外观，看待测场效应管是否完好，如果存在烧焦或针脚断裂等情况说明场效应管已发生损坏，如图1所示，本次待测的场效应管外型完好没有明显的物理损坏。
（2）待测场效应管外型完好没有明显损坏需进一步进行测量，用一小镊子夹住待测场效应管用热风焊台将待测场效应管焊下。
（3）将场效应管从主板中卸下后，须用小刻刀清洁待测场效应管的引脚，如图2所示。去除引脚上的污物，避免因油污的隔离作用影响测量时的准确性。
（4）清洁完成后，用小镊子对待侧场效应管进行放电避免残留电荷对检测的影响（场效应管极易存储电荷）如图3所示。
（5）选择数字万用表的 “二极管”挡，如图4所示。
（6）将黑表笔接待测场效应管左边的第一只引脚，用红表笔分别去测与另外两只引脚间的阻值，如图5所示。两次检测均为无穷大。
（7）将黑表笔接中间的引脚，用红表笔分别去测与另外两只引脚间的阻值，如图6所示。
（8）将黑表笔接在第三只引脚上，用红笔笔分别去测另外两只引脚与该引脚间的阻值如图7所示。
（9）由于测量的场效应管的三只引脚中的任意两只引脚的阻值，只有一次有读（540），且阻值在 400～800 之间，因此判断此场效应管正常。
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