晶体也称为半导体二极管，它是在 PN 结上加接触电极、引线和管壳封装而成的。按其结构，通常有点接触型和面结型两类。
晶体二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。
晶体二极管的伏安特性是指流过二极管的电流 iD 与加于二极管两端的 uD 之间的关系或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用图示仪显示出来的 U～I 曲线，称二极管的伏安特性曲线。下图是二极管的伏安特性曲线示意图，我们以此为例来说明其特性。
⒈正向特性。当加在二极管两端的正向电压（P 为正、N 为负）很小时（锗管小于 0.1 伏，硅管小于 0.5 伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线 I 段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为 0.5-0.7 伏左右，锗管为 0.1-0.3 左右。
⒉反向特性。二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为 1 微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性。当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由 1 伏到几百伏，甚至高达数千伏。
⒋频率特性。由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使 PN 结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN 结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
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