IGBT是什么？它是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
那么什么又是IGBT模块呢？IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。
IGBT是MOS和BJT的复合器件，到底是怎么复合的，往下看。从结构上看，IGBT与功率MOS的结构非常类似，在背面增加P+注入层(injectionlayer)。
得出IGBT的导电路径：
由于上图P阱与N-漂移区的PN结成反偏状态，于是产生了JFET效应，如下图。
于是，在上述IGBT结构中，电子流通方向的电阻可用下图表示，结合上边描述，一目了然。
为了减小上述电阻，并且提高栅极面积利用率，沟槽栅IGBT变成主流，作用效果如下图。
此外，为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，在N–漂移区、背面工艺(减薄和注入)上下了不少功夫。
N-区下的功夫包含以下几种：
1、PT：以高浓度的P+直拉单晶硅为起始材料，先生长一层掺杂浓度较高的N型缓冲层(N+buffer层)，然后再继续淀积轻掺杂的N-型外延层作为IGBT的漂移区，之后再在N-型外延层的表面形成P-base、N+source作为元胞，最后根据需要减薄P型衬底。
2、NPT：采用轻掺杂N-区熔单晶硅作为起始材料，先在硅面的正面制作元胞并用钝化层保护好，之后再将硅片减薄到合适厚度。最后在减薄的硅片背面注入硼，形成P+collector。
3、FS：以轻掺杂N-区熔单晶硅作为起始材料，先在硅面的正面制作元胞并用钝化层保护好，在硅片减薄之后，首先在硅片的背面注入磷，形成N+截止层，最后注入硼，形成P+collector。
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