场效应管放大电路
对应三极管的共射、共集及共基放大电路，场效应管放大电路也有共源、共漏和共栅三种基本组态。下面以JFET组成的共源极放大电路为例，介绍场效应管放大电路的工作原理。
1.自偏压电路
自偏压电路如图3-10所示。在图中，场效应管栅极通过栅极电阻RG接地，源极通过源极电阻RS接地。这种偏置方式利用JFET(或耗尽型MOS管)在栅源电压uGS=0时，漏极电流iD≠0的特点，以漏极电流在源极电阻RS上的直流压降，给栅源之间提供反向偏置电压。也就是说，在静态时，源极电位uS=iDRS，由于栅极电流为0，RG上没有压降，栅极电位uG=0，所以栅源之间的偏置电压为
uGS=uG-uS=-iDRS
要说明的是，自偏压方式不能用于由增强型MOS管组成的放大电路。因为增强型MOS管
只有当uGS达到UT时才有iD产生。
对于图3-10电路的静态工作点，可以利用式(3-1)和式(3-3)求联立方程，即
ID=IDSS(1-UGS/UP)2(3-4
)UGS=-IDRS(3-5)
求得ID和UGS之后，则有
UDS=VDD-ID(RD+RS)(3-6)
例3-1电路如图3-10所示，已知IDSS=0.5mA，UP=-1V，试确定电路的静态工作点。
解:根据上面分析得到的公式有
ID=0.5(1+UGS)2
UGS=-2ID
将UGS表达式代入ID表达式中，得
ID=0.5(1-2ID)2
解方程得
ID=(0.75±0.56)mA
而IDSS=0.5mA，ID不应大于IDSS，所以
IDQ=0.19mA
UGSQ=0.38V
UDSQ=11.9
2.分压式自偏压电路
虽然自偏压电路比较简单，但是当静态工作点确定后，uGS和iD就确定了，因而RS选择的范围很小。分压式自偏压电路是在图3-10电路的基础上加接分压电阻后组成的，如图3-11所示。漏极电源VDD经分压电阻RG1和RG2分压后，通过RG3供给栅极电压，uG=RG2VDD/(RG1+RG2);同时漏极电流在源极电阻RS上也产生压降，uS=iDRS。因此，静态时加在JFET上的栅源电压为
uGS=uG-u
=VDDRG2/(RG1+RG2)-iDRS(3-7)
同样可根据式(3-1)和(3-7)求联立方程，即
ID=IDSS(1-UGS/UP)2
UGS=VDDRG2/(RG1+RG2)-IDRS
从而求出ID和UGS，并求出
UDS=VDD-ID(RD+RS)
得出电路的静态工作点。
3、场效应管放大电路的动态分析
图3-10自偏压电路可以用图3-12的交流等效电路来表示，图中RL为放大电路外加的负载电阻。从图中不难求出电压放大倍数Au、Ri和Ro三个性能参数。
1.电压放大倍数Au
由图3-12可得出
Au=uo/ui=(-idR′L)/ugs=-(gmugsR′L)/ugs
即
Au=-gmR′L(3-8)
其中，R′L=RD∥RL。
式(3-8)表明，JFET共源放大电路的电压放大倍数Au与跨导gm成正比，且输出电压与输入电压反相。
2.输入电阻Ri和输出电阻Ro
由图3-12可得
Ri≈RG(3-9)
Ro≈RD(3-10)
可见，共源放大电路的输入电阻Ri主要由偏置电阻RG决定，而输出电阻Ro则由漏极电阻RD决定。
场效应管放大电路的优缺点
优点
(1)输入电阻大。用普通三极管做成放大电路，共射电路的输入电阻约几KΩ，(我们一般称之为10^3级)，共集电极电路的输入电阻也只能做到几十K欧到一百多K欧(10^5级)，而使用结型场效应管(JFET)就可做到输入电阻10^6级，使用MOS管能做到10^8级以上。
(2)温度稳定性好，由于场效应管里没有漂移电流，基本不受温度变化的影响。
缺点:
(1)放大倍数小，一级放大只能做到几倍(可能不到10倍)，(2)输入端由于静电感应容易产生击穿。
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