1.场效应管和三极管输入电阻的差异。

2.场效应管是单极三极管是双极区别之外。

3.解决问题方面： 场效应管是电压控制电流源，控制电压和电流属于不同的支路，因而电压的求解一般不难（有时是与受控电流有关的表达式，课本129页3－6），进而根据漏极电流表达式来求出电流值，然后进行模型分析，求出跨导和输出电阻。 而三极管要先建立模型，然后进行电路分析，求解过程特别是计算很复杂，容易出错； 总体而言，我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些。

4.极管和场效应管的比较可以归纳以下几点： 一、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。 这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。 二、在放大状态工作时，三极管发射结正偏，有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。 三、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。 四、在低电压小电流状态下工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。 五、MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定。在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。 六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化，场效应管的转移特性按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路，由于场效应管的栅极无电流，所以输入电阻R'i≈∞。跨导gm比三极管的小一个数量级，gm我们可以用转移特性求导得到

5.三极管可以说是电流控制电流源的器件，而电流是通过输入电阻的大小来体现的；但场效应管是电压控制电流源的器件

6.记住四种mos管的特性曲线的方法：只需记住n沟道的emos管的曲线，它的Ｖgs是大于０的，且曲线呈递增趋势．而p沟道的emos的Ｖgs是小于０的，且呈现递减趋势．dmos的Ｖgs既有大于０的部分，又有小于０的部分，按照n沟道递增，p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线记住了

7.1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件； 

2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件； 

3）场效应管灵活性比三级管好； 

4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
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