MOS管的基本性质
MOS管，即场效应管，四端器件，S、D、G、B四个端口可以实现开和关的逻辑状态，进而实现基本的逻辑门。
NMOS和PMOS具有明显的对偶特性：NMOS高电平打开（默认为增强型，使用的是硅栅自对准工艺，耗尽型器件这里不涉及），PMOS低电平打开。在忽略方向的情况下，采用共S极接法，有如下特性：
第一张图是Vds随Vgs变化的情况，用于描述开关特性。后面的逻辑分析一般基于这个原理。
第二张图是Ids随Vds变化的情况的简图，用于描述MOS的静态特性。
MOS的静态特性由两个区域决定：线性区和饱和区。前者一般是动态功耗的主要原因，后者是静态电压摆幅的决定因素。
线性区有：Id=μCoxW/L［（Vgs-Vth）Vds-1/2Vds^2］
饱和区有：Id=1/2μCoxW/L（Vgs-Vth）^2
后面的MOS器件一般基于这两个区域的电学特性来分析总体的电学特性。电压摆幅、面积、噪声容限、功耗、延时基本上都是源自这个区域的原理。
TG及其改进
（1）传输管逻辑
传输管和传输门的区别在于否是有全电压摆幅，其实现的逻辑功能是一致的。
可以看到，传输管实现逻辑的关系还是串联和并联，并且串联为与，并联为或，需要使用保护电路防止悬空。输出的逻辑与输入的信号有关，这可以作为可编程的电路的单元。
（2）TG逻辑的改进
TG逻辑的改进还是专注于去除PMOS。根据反向输入的NMOS等于PMOS的思路，如上图3中的结构，可以将PMOS替代。可以看到的传输管不能无损传输，信号需要使用反相器恢复稳定。
动态电路
静态电路需要保持上拉和下拉电路一直互斥，存在动态损耗。
动态电路的思路则是使用时钟信号保证上下电路互斥，这样只需要一个网络就可以实现目标功能。图中是下拉N网络的电路，还可以使用上拉P网络实现，两者的级联要求正好对偶，可以间隔连接。这就是动态电路的级联的形式一PN连接。
还有一种方式就是使用多米诺电路，就是在同N或者同P之间使用反相器保证动态电路预充正确。
接下来说明动态电路的工作方式：
预充-求值
在CLK=0时，P导通，输出预充到1；
在CLK=1时，N导通，读取N网络的导通状态，决定求值为0或者1；
一次预充求值完成后即实现逻辑输出。
问题：求值时输入不能发生改变，否则会出现逻辑x，这意味着动态电路多与时序电路联合使用，构成流水线。
问题：电容存储电荷实现电平存在损耗，需要CLK不断刷新。
动态电路的优化：
第一级动态电路CLK需要P和N两个MOS管，对于第二级动态电路，预充时已知某个信号为0（多米诺为0，PN连接为1），如果输入逻辑为与或者可以保证网络关闭，则可以节约一个网络控制MOS管。
组合逻辑分析
（1）电压摆幅
电平需要能够维持在L1和L0两个状态区间内，一旦混乱，就会出现逻辑错误。一般来说，可以使用电平恢复电路维持电压（一个反相器与PMOS构成的电平恢复）。对于长的逻辑链，需要加入BUFF来维持电压（这点在传输管中尤为重要）。
（2）逻辑延时
这部分是分析组合电路的延时的，采用的反相器为标准的估算方法（软件可以实测，但是设计时需要估值），专业词汇叫逻辑努力。
标准反相器链的延时T=tp0+tp0*f，其中tp0是空载延时，f是扇出。f=Cout/Cin，在同尺寸的反相器串联时，f=1，并联时f=N，N为下一级并联的个数。常用术语FO4即是扇出为4的设计。对于不同的反相器，则需要使用具体的计算得到比例。反相器链采用f=F^（1/N）的优化规则优化。
基于反相器链，可以推导CMOS门链的延时：反相器常用P:N的W/L为2：1（综合面积，速度，噪声，功耗的考虑值），以此为基准可以推出同等最优尺寸的与非门尺寸为2：2：2：2，或非门尺寸为4：4：1：1，推算原则就是串联翻倍，并联不变的最优尺寸等效规则。
然后是CMOS门的延时：d=p+gh，p为基准延时tp0的倍数，g为电学努力，h为逻辑努力。以与非门为例，得出下面的参数：p=2（等效两个理想反相器），g=4/3（A=2+2，B=2+2），h=Cout/Cin（单链，如果有分支，加上b这个参数，即下一级的负载数）。
优化的方法也是一样的，使得f=F^（1/N），即可实现最优延时。f=gh，F=GBH，大写即为连乘的小写。
锁存器
限于篇幅，这里不再再画图，大致解释一下锁存器的结构：类似一个时钟控制开关（一般使用传输门作为开关），时钟打开开关时读取数据，关闭时锁存数据。通过时钟信号实现输出数据在一段时间内（理想情况下为半个周期）与输入隔离。
触发器
由两个锁存器和中间一个存储单元（一般是首尾相连的反相器）组成。锁存器的锁存时间相反，输入端锁存器打开时存入数据，锁存时读出数据。与锁存器整个时钟周期都在锁存依靠电平不同，触发器依靠时钟的上升和下降实现数据的存储，且输出整个时钟周期不发生改变。
时序逻辑分析
建立时间：数据需要提前于时钟沿的时间，保持时间：数据需要在时钟沿到来后保持的时间。传输时间：数据从存储单元传输到输出所需的时间。
具体的分析是复杂的，但是基本的原理是清晰的。建立时间是为了保证数据能够存入存储单元。保持时间是保证数据能度过时钟触发所需的延时。传输时间是保证存储单元数据能够传输到输出。
具体的时序分析是很复杂的，需要考虑许多参数，如时钟的抖动和歪斜。一般这些参数都是计算好的，使用者只需根据计算值设计相应的满足条件即可。基本的修改方法是：对于关键路径，建立时间不足降低时钟频率，保持时间不足加BUFF。
至于如何修改建立时间和保持时间，那是电路结构的问题，需要设计更加合理的电路。常用的电路结构为C^2MOS结构，即将时钟和反相器组合成的MOS时序电路，有兴趣可以查一下。这个结构可以和多米诺组成流水线的结构。
功能模块
加法器、乘法器、多路选择器、移位寄存器、存储器等具有特定逻辑功能的电路所需的是逻辑设计，学习过数字电路的都不会陌生（存储器就是基于存储单元的读写DRAM和基于电容的SRAM），这里已经到了module层次了。
这个层次的设计已经可以使用verilog快捷的实现了。优化也可以基于verilog来调试优化每个门的位置和数量。
总结
本文从MOS管开始，介绍了MOS，传输管TG的原理、动态电路的结构、组合逻辑延时的分析，简略地介绍了锁存器、触发器及时序电路的分析，联系到了模块层次的数字电路设计。
烜芯微专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等20年，工厂直销省20%，4000家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍
烜芯微专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等20年，工厂直销省20%，4000家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍