MOS集成电路中的寄生效应
在MOS集成电路中，除了电路设计中需要的MOS管外，还存在着一些不需要的寄生MOS晶体管和电容，它们将给集成电路的正常工作带来不利的影响，下面将介绍这些MOS集成电路中的寄生效应。
（1）寄生MOS管
MOS集成电路中，当电路铝引线串过两个扩散区时(例如地铁式布线)，就在这条铝引线之下形成一个寄生MOS管。如图4-4所示。
图中衬底为P型硅，扩散区为N+，当铝引线上加正电压并当正电压高于开启电压时，在两个N+扩散区之间即形成寄生的N-MOS管。
两个扩散区本来是两条不同的电路引线，结果被寄生MOS管所连通。可见寄生MOS管会给电路带来不良影响。
为了防止寄生MOS管效应，在集成电路设计时,要尽量避免铝引线横跨两个扩散区，必不可免时，也要加大扩散区间隔,以减小寄生MOS管的宽长比,增大它的导通电阻。
或者在工艺上增加二氧化硅层的厚度，使得正常运用时寄生MOS管不至导通。
（2）寄生电容
MOS集成电路中的寄生效应：MOS集成电路中除了MOS管本身具有的MOS电容外,还存在着一些寄生电容，主要寄生电容有Cgs: MOS管栅极与源区之间寄生电容。Cgd: MOS管栅极与漏区的寄生电容。
这是由于栅极金属要交叠覆盖一部分源漏区而形成的(参见图4-5( b)),其数值大约为0.03PF/μm°。
另一种寄生电容是源漏极之间的Cds。 Cds包括寄生MOS管电容;源漏区对衬底的PN结电容和金属引线与扩散区之间的电容。寄生电容中对MOS管特性影响最大的是栅极与漏极之间的寄生电容Cgd,因为它会对信号起负反馈作用(参见图4-5(c))。
（3）MOS集成电路中的衬底效应
MOS集成电路中的寄生效应：在MOS晶体管中，通常源极是和衬底接在一起的，它们具有相同的电位。
但是，在MOS集成电路中，所有的MOS管都是制作在同一衬底硅片之上的，衬底是公共的。显然各个MOS管的源极不可能全与衬底相连,否则就会造成部分MOS管的短路,影响构成电路。
MOS集成电路中，衬底接在一定电位上( N-MOS衬底接电路中最低电位点,P-MOS衬底接电路中最高电位点)，以保证各MOS管之间的“隔离”。
这样就使得MOS集成电路中某些MOS管的衬底电位与源极电位不再相同了，形成了衬底与源极之间偏压VBS。
很显然，VBS是这些MOS管衬底与源极之闻的反向偏压。故源极与衬底之间的耗尽层比村底与源极相连时要加宽。从而造成MOS管开启电压的变化。以N-MOS反相器为例，开启电压Vr与衬源偏压VBS之间关系如图4-6所示。
从图中可以看出，对N-MOS管衬源电压VBS增加时，开启电压Vr也要加大。在电路设计上VBS对开启电压变化量⊿Vr的影响可以用下面近似公式估算:
需要指出:MOS集成电路中存在衬底效应并不是一件坏事，恰当地利用衬底效应可以制造出增强型MOS管。
因为选用低电阻率(高掺杂)的P型硅片制造N型增强型MOS管会增加各扩散区的势垒电容，影响电路工作速度，而选用高电阻率的P型硅；
由于工艺上难以使二氧化硅层中的正电荷(例如钠离子沾污)完全消除,因而很难形成增强型MOS管在MOS集成电路中，衬底不接地电位，而是接在另外一个负电源上，这样衬底与管子源极之间就存在着一个负电压(如图4-7所示),使管子获得一个开启电压值，从而得到增强型N-MOS管。
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