MOS场效应管如何判断好坏
（一）结型场效应晶体管的检测
1．判别电极与管型
用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。
MOS场效应管判断好坏，在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测管为P沟道结型场效应晶体管；在两个阻值均为低阻值的一次测量中，被测管为N沟道结型场效应晶体管。也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等，且为几千欧姆，则这两个电极分别为漏极D和源极S，另一个电极为栅极G。结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性，可以互换使用。若测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿或已开路损坏。
2．检测其放大能力
用万用表R×100档，红表笔接场效应管的源极S，黑表笔接其漏极D，测出漏、源极之间的电阻值RSD后，再用手捏信栅极G，万用表指针会向左或右摆动（多数场效应管的RSD会增大，表针向左摆动；少数场效应管的RSD会减小，表针向右摆动）。只要表针有较大幅度的摆动，即说明被测管有较大的放大能力。
（二）双栅场效应晶体管的检测
1．电极的判别
MOS场效应管判断好坏，大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列顺序是相同的，即从场效应晶体管的底部（管体的背面）看，按逆时针方向依次为漏极D、源极S、栅极G1和栅极G2。因此，只要用万用表测出漏极D和源极S，即可找出两个栅极。
检测时，可将万用表置于R×100档，用两表笔分别测任意两引脚之间的正、反向电阻值。当测出某两脚之间的正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆（其余各引脚之间的电阻值均为无穷大），这两个电极便是漏极D和源极S，另两个电极为栅极G1和栅极G2。
2．估测放大能力
用万用表R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时，用手指捏住两个栅极，加入人体感应信号。若加入人体感应信号后，RSD的阻值由大变小，则说明该管有一定有放大能力。万用表指针向右摆越大，说明其放大能力越强。
3．判断其好坏
MOS场效应管判断好坏，用万用表R×10档或R×100档，测量场效应晶体管源极S和漏极D之间的电阻值。正常时，正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆。且黑表笔接漏极D、红表笔接源极S时测得的电阻值较黑表笔接源极S、红表笔接D时测得的电阻值要略大一些。若测得D、S极之间的电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿损坏或已开路损坏。用万用表R×10k档，测量其余各引脚（D、S之间除外）的电阻值。正常时，栅极G1与G2、G1与D、G1与S、G2与D、G2与S之间的电阻值均应为无穷大。若测得阻值不正常，则说明该管性能变差或已损坏。
如何快速判断其好坏及引脚功能
1.用10K档，内有15伏电池。可提供导通电压。
2.因为栅极等效于电容，与任何脚不通，不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管。
3.利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。但要放电时需短路管脚或反充。
4.大都源漏间有反并二极管，应注意，及帮助判断。
5.大都封庄为字面对自已时，左栅中漏右源。
以上前三点必需掌握，后两点灵活运用，很快就能判管脚，分好坏。如果对新拿到的不明MOS管，可以通过测定来判断脚极，只有准确判定脚的排列，才能正确使用。
管脚测定方法：
①栅极G的测定：用万用表R&TImes;100档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三脚为G。
②漏极D、源极S及类型判定：用万用表R&TImes;10kΩ档测D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2&TImes;10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：
a．若读数由原来较大值变为0（0&TImes;10kΩ），则红表笔所接为S，黑表笔为D。用黑表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。
b．若读数仍为较大值，黑表笔不动，改用红表笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表笔为D极，用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。
怎么判断场效应管好坏的注意事项
（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。
（2）目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构。
（3）现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（4）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W。
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