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  • 替代12N60场效应管在高压H桥PWM马达驱动中使用的12Amos管
    • 发布时间:2020-10-23 18:17:50
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    替代12N60场效应管在高压H桥PWM马达驱动中使用的12Amos管
    电子工程师都知道电机驱动采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路,而H 桥是一个典型的直流电机控制电路,它的电路外形酷似字母 H,故得名叫“H 桥”。由命名即可可知,MOS管对于高压H桥PWM马达驱动意味着是其“生命”,目前这款产品常会用FQP12N60型号参数来应用。
    12N60场效应管
    由于FQP12N60是一款国外mos管型号,在全球化形势不明朗的商业状态下,各个电子厂家均在强化国内的器件供应商库,建立国内优质的MOS管产品供应商也是高压H桥PWM马达驱动厂家必要的事情。在国内场效应管市场中,飞虹的FHP12N60型号N沟道增强型高压功率MOS场效应管即可跟FQP12N60型号参数进行对标。
    12N60场效应管
    目前市面上除了常见的FQP12N60型号会应用在高压H桥PWM马达驱动上外,还有TK12A60U的MOS管在应用,如果说要建立国内优质的供应商则更推荐使用烜芯微的型号:12N60,高耐压、质量好。
    这款12N60除广泛应用于高压H桥PMW马达驱动,还常用于AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器场景中,为N沟道增强型高压功率MOS场效应管,在使用方面是不仅能匹配型号为FQP12N60的国外场效应管,还能代用TK12A60U型号的场效应管。
    这款12N60的特点是12.0A, 600V, RDS(on) = Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快。
    12N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F,脚位排列位GDS。这款产品参数:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):12;BVdss(V):600。
    12N60场效应管
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