分析之前，需要对PN节相关的半导体知识，明白扩散运动与漂移运动的形成原因，明白多子与少子、空穴与电子的概念，针对清华大学华成英老师教材课件，最终形成如下分析：
N（negative）区的多子为电子，P（Positive）区的多子为空穴；
三极管发射区（即E区，为N区）多子（电子）浓度高，基区（即B区，为P区）薄则多子（空穴）浓度低，集电区面积大；
当发射结正偏时(即B区电位高于E区电位)，此时发射结两侧P区和N区进行扩散运动，扩散运动由多子的运动引起，则发射区电子从发射区扩散至基区，基区空穴从基区扩散至发射区，由于电子浓度远大于空穴，则基区与空穴复合的电子数量极少，此时基区存在大量自由电子；
此时应思考，最终目的是保证基区的自由电子最终达到集电区，使三极管集电区和发射区导通：从基区到发射区的电子运动，基区为P区，电子为少子，为实现少子漂移运动，则应将集电结反偏（即C区电位高于B区电位），此时基区大量的从发射区扩散而来的自由电子漂移至集电区；
电场方向与电子运动方向相反，则此时集电区与发射区导通，满足放大条件。
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