电阻器检测
在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分称为电阻器，简称电阻。电阻器的英文缩写为 R （Resistor），排阻用RN表示。
1、电阻器在电路中的符号如下：
2、电阻器的常见单位：欧姆（Ω），千欧姆（kΩ），兆欧姆（MΩ）
3、电阻器的单位换算：1MΩ＝1000kΩ＝1000000Ω
4、电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律： I ＝ U / R
5、电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等
6、电阻器在电路中用“R”加数字表示，如R15表示编号为15的电阻器
7、电阻器的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法
8、电阻器色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示，精密电阻器用5环表示，紧靠电阻体一端头的色环为第一环，露着电阻体本色较多的另一端头为末环。4色环电阻器（普通电阻）如下图所示：
如果色环电阻器用5环表示，则为精密电阻，前面三位数字是有效数字，第四位是10的倍幂。第五环是色环电阻器的误差范围，如下图所示：
9、电阻器好坏的检测：
（1）用指针万用表判定电阻的好坏：首先选择测量挡位，再将倍率挡旋钮置于适当的挡位，一般100Ω以下电阻器可选“ R ×1”挡，100Ω～1kΩ的电阻器可选“ R ×10”挡，1～10kΩ电阻器可选“ R ×100”挡，10～100kΩ的电阻器可选“ R ×1k”挡，100kΩ以上的电阻器可选“ R ×10k”挡
（2）测量挡位选择确定后，对万用表电阻挡进行调零，调零的方法是：将万用表两表笔金属棒短接，观察指针有无到0的位置，如果不在0位置，调整调零旋钮使表针指向电阻刻度的0位置
（3）接着将万用表的两表笔分别和电阻器的两端相接，表针应指在相应的阻值刻度上，如果表针不动和指示不稳定或指示值与电阻器上的标示值相差很大，则说明该电阻器已损坏
（4）用数字万用表判定电阻的好坏：首先将万用表的挡位旋钮调到欧姆挡的适当挡位，一般200Ω以下电阻器可选“ R ×200”挡，200Ω～2kΩ欧姆电阻器可选“2k”挡，2～20kΩ可选“ R ×20k”挡，20～200kΩ的电阻器可选“ R ×200k”挡，200kΩ～2MΩ的电阻器选择“ R ×2M”挡，2～20MΩ的电阻器选择“ R ×20M”挡，20MΩ以上的电阻器选择“ R ×200M”挡
晶体二极管检测
1、晶体二极管的英文缩写：D（Diode），电路符号如下：
2、半导体二极管的分类有两种方式，按材质分：硅二极管和锗二极管；按用途分：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管，如下图所示：
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管
4、半导体二极管的导通电压硅二极管在两极加上电压，并且电压大于时才能导通，导通后电压保持在～锗二极管在两极加上电压，并且电压大于时才能导通，导通后电压保持在～
5、二极管的主要特性。二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大
6、二极管作用。二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等不同类型
7、半导体二极管的识别方法
（1）目视法判断半导体二极管的极性。一般在实物的电路中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极。在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极，另外一端是正极
（2）用万用表（指针表）判断半导体二极管的极性。通常选用万用表的欧姆挡（“ R ×100”或“ R ×1k”），然后分别用万用表的两表笔接到二极管的两个极上，当二极管导通时，测的阻值较小（一般几十欧姆至几千欧姆），这时黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极；当测的阻值很大（一般为几百欧姆至几千欧姆），这时黑表笔接的是二极管的负极，红表笔接的是二极管的正极
（3）测试注意事项。用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。半导体二极管的测量识别方法如下图所示：
8、变容二极管。变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方，被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管
9、稳压二极管。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其他原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变故障特点。稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这三种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后两种故障表现为电源电压变低到0V或输出不稳定，硅管的导通电压为～；锗管的导通电压为～，而工作分析时通常采用的是。检测方法如下图：
10、发光二极管
（1）结构。发光二极管是由半导体材料磷化镓等制成的一种晶体二极管
（2）基本特性。在外加正向电压达到发光二极管的导通电压（一般为～）时，发光二极管有电流流过并随之发光。按发出光的类型分发激光二极管、发红外光二极管、发可见光（红、绿、黄）二极管、双色发光二极管。发光二极管工作电流值为5～10mA（不能超过25mA），所以在发光二极管的电路中一定要串联限流电阻。发光二极管检测方法如下图所示：
（3）检测。将万用表转换开关置于“ R ×10k”欧姆挡，两表笔分别接发光二极管两极，测其正反向电阻。一般正向电阻小于50kΩ、反向电阻大于210kΩ为正常。
11、半导体二极管的好坏判别。用万用表（指针表） R ×100或 R ×1k挡测量二极管的正、反向电阻，要求正向电阻在1kΩ左右，反向电阻应在100kΩ以上。总之，正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。若正向电阻无穷大，说明二极管内部断路，若反向电阻为零，表明二极管已击穿。内部断开或击穿的二极管均不能使用。
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