一般PN结二极管 Normal PN Junction Diode
这类二极管大概是最为熟知的二极管了，通常作为通用二极管使用，由半导体材料晶体硅或锗制成，通过加入不同类型的杂质构成PN结以实现单向导通功能。
在早期高纯度单晶硅难以制造时，这类二极管通常由锗材料制成，称为锗管，现在则主要为硅材料制成，称为硅管。锗管的正向压降为0.2~0.3V，而硅管压降则为0.6~0.7V。
这类二极管作为通用二极管应用范围很广，针对小信号电路应用和高电压、电流应用均有相应的型号可供选择。
肖特基二极管 Schottky Diode
以德国物理学家Walter H. Schottky命名的肖特基二极管，由金属材料与半导体材料接触产生的肖特基势垒实现了单向导通功能。肖特基二极管的正向压降一般为0.15~0.45V，与硅二极管相比压降更低，结电容也更小，具有开关速度快、能耗低的优点。
然而与一般硅二极管相比，由硅制成的肖特基二极管的额定反向电压却很小，且反向漏电流也相对更高。
齐纳二极管 Zener Diode
与一般二极管用于正向导通不同，齐纳二极管是应用反向导通（击穿）时极陡的U/I特性产生相对稳定的电压。齐纳二极管利用奇纳效应(Zener effect)/雪崩击穿(avalanche breakdown)来实现反向导通而不至于损坏。
齐纳二极管通常被用于产生参考电压，或者用于过压保护中。
发光二极管 Light-Emitting-Diode(LED)
发光二极管也是很常见的二极管种类了，正向导通时会有一部分能量转化为光能发射出来。根据半导体材料特性会产生不同波长的光，即不同的颜色。在额定范围内，正向电流越大、产生的光强越高。市面上既有单色、也有多色发光二极管。常见的颜色有红、黄、蓝、绿、白等。
光电二极管 Photodiode
与发光二极管相对，利用光生伏打效应(photovoltaic effect)光电二极管吸收光能而产生电能。通过将半导体制成的PN结、或金属-半导体结裸露，当光照射在其上时在两极形成了电势差。太阳能电池即为大面积的光电二极管。
TVS二极管 TVS Diode
瞬态电压抑制二极管是一种过压保护器件，与齐纳二极管一样工作在反向状态。当反向电压达到TVS二极管雪崩击穿电压时允许很大的电流在短时间内流过TVS二极管，从而将被保护的信号线电压钳位在一定电压下。一般被接在与外部连接的信号线路上，如USB、串口等，用来保护芯片免受瞬态过电压损坏，如静电放电ESD等。
TVS二极管既有单向电压保护，也有双向电压保护。
变容二极管 Varicap Diode
变容二极管是一种由反向偏置电压控制PN结电容的器件，常被用在与频率相关的电路中，如压控振荡器、锁相环、锁频环等。通过调节反向电压改变LC振荡电路的振荡频率，进而实现各种功能。
其它二极管种类：
除了上述常见的二极管种类外，还有其它种类，虽然在一般电路中并不常用，但仍提供在这里仅供参考。
恒流二极管 Constant Current Diode、Current Regulating Diode
激光二极管 Laser Diode
点接触型二极管 Point Contact Diode
隧道二极管 Tunnel Diode
等等。
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