7n80场效应管参数-型号概述
7n80场效应管参数型号概述，此功率MOSFET生产是使用SL先进的平面条纹DMOS技术，这个先进的技术是特别定制的，以减少通态电阻，提供优越的开关性能，在雪崩和转换方式下能承受高能脉冲器件，它非常适合高效率开关模式电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑。
7n80场效应管参数-型号特性
RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V
低栅电荷(典型27nC)
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt的能力
7n80场效应管参数-型号封装图
7n80场效应管参数详情
7n80场效应管参数-规格书
查看规格书，请点击下图
烜芯微专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等20年，工厂直销省20%，4000家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍