场效应管D极与S极能否随意互换？
场效应管可分为结型场效应管（简称JFET）和绝缘栅场效应管（简称MOS管或MOSFET）两种。每种又可分为N沟道和P沟道两类，N沟道和P沟道场效应管工作原理相同，只是工作电压极性相反，这就像三极管有NPN型和PNP型之分一样。增强型和耗尽型之分，有关图形符号如图1。
结型场效应管的源极S和漏极在制造工艺上是对称的，可以互换使用。如笔者把3DJ6应用于功效前置级，D、S极互换后，电路工作状态并无变化。
MOS管的衬底B与源极如果不连在一起，则D、S极可以互换，但有的MOS管由于结构上的原因（即衬底B与源极S连在一起），其D、S极不能互换。作开关管用的场效应管，一般都是功率型NMOS管，就属于这种特例。对于增强型NMOS管，从其转移特性看，其Ugs要大于开启电压（一般为几伏），管子才导通。而耗尽型NMOS管尽管Ugs可以为正、零或负值，但其Ugs=Up时（Up称夹断电压，为负的几伏），Id=0，管子截止，所以对于NMOS管，实际使用时，G极对地电位较低，若S极接供电（高电位），则Ugs远小于0，超出管子的使用条件，必使管子击穿损坏。
从输出特性看，对于功率型NMOS管，工作时Uds》0，其漏极击穿电压V（br）ds很高，反之Usd很低，若S接高电位，D接低电位，则MOS管将被击穿。
综上所述，MOS管的D、S极不可随便对调使用，功率型MOS管其D、S极绝不能互换。对于功率型MOS管，D、S极间多接有保护二极管D，有的G、S间极也接有保护二极管，见图2。
用指针万用表R×100挡测试MOS管任意两脚间的正反向电阻值，有5次为∞，一次较小，为几百欧，否则管子一定损坏。阻值较小的这一次，对于NMOS管红表笔接D极、黑笔接S极；对于PMOS管，红笔接S极、黑笔接D极，余下的是G极。由此可见D、S极间接的非普通二极管，笔者试过对于图1结构的管子（如2SK727、2SK2828）即使用500型万用表的R×10k挡测，红笔接S极、黑笔接D极，阻值仍为∞。
场效应管的源极和漏极可以互换使用吗？
在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质：
1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。
2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。
三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。
但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。
三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
（5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
（6）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
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